登记年份

 2005

成果完成人

 李养贤    郝秋艳    胡元庆    刘何燕    孟凡斌    李翔    刘彩池    沈浩平    徐学文    陈贵锋    

成果完成单位

 河北工业大学

所处阶段

 中期阶段

成果来源

 天津市

成果内容简介

 1、研究了中子辐照在直拉硅内引入的亚稳态缺陷及其退火行为。在中子辐照直拉硅样品中的红外吸收光谱中，发现了一个位于485 cm-1的新红外吸收峰。并深入研究了该峰的退火行为，发现该峰的形成与硅中氧无关。 2、研究了不同中子辐照剂量对直拉硅中间隙氧含量的影响。随着辐照剂量增加，间隙氧浓度逐渐减小，当辐照剂量达到1019 n/cm2时，间隙氧浓度趋于稳定。 3、研究了中子辐照直拉硅中氧沉淀的退火行为，阐明了中子辐照引入的缺陷与直拉硅中间隙氧的相互作用。研究结果为制定中子辐照直拉硅的本征吸除工艺奠定了理论基础。 4、在理论研究的基础上，确定了“中子辐照掺杂直拉硅单晶的两步退火工艺”：第一步退火在850～1100 ℃，经过60～120分钟保温和慢速冷却后完成，目的在于消除中子辐照的不良影响。第二步退火温度在600～650 ℃，保温时间为40～60分钟，并且采用快速冷却的方式降温。此步工艺的目的在于稳定单晶硅的电性能参数。经过以上工艺热处理后的直拉硅可以达到真是电阻率45±10% Ω?cm，这也是所要求的目标电阻率。并且单晶径向和轴向电阻率的不均匀性也分别有显著降低，仅为5 %左右。