所属技术领域：电子、通讯
专利号：200610014292.X
所有权人：刘玉岭
用于计算机硬盘基片化学机械抛光的CMP抛光液：SiO2磨料粒径小（20-50mm）、浓度高（＞40%）、硬度小（对基片损伤度小）、分散度好；PH值大于9.0，对设备钝化作用，避免酸性抛光液抛光中易产生的塌边现象的发生，解决了酸性抛光污染重、易凝胶的诸多弊端，对操作人员也不会产生伤害；采用了多种有利环境保护措施，废液可以完全被现有的污染处理设备消化，不对环境造成影响；活性剂的使用增加了高低选择比，降低了表面张力、减小了损伤层、提高了基片表面的均一性；螯合剂的使用解决了基片表面的金属离子污染问题。使硬盘基片抛光高平整、高速率、高光洁度、低损伤、无污染，满足硬盘的容量更大、速度更快，体积更小和安全性更高的要求。
联系人：刘玉岭
联系电话：022-26564433
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